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上海技物所在高灵敏光电探测器研究方面取得重要进展
| 20-01-14| 访问次数: | 【 【打印】【关闭】

  近日,中科院上海技术物理研究所王建禄研究员,胡伟达研究员与中科院微电子所刘琦研究员等人合作,设计出一种极陡峭亚阈值摆幅的场效应晶体管,并基于该结构实现了极高灵敏光电探测功能,综合利用了铁电负电容效应、铁电极化诱导局域场效应及“photogating”效应,基于铁电局域静电场和铁电负电容效应的共同作用,实现极高探测率的室温光电探测。 

  该光电晶体管的工作电压设定为器件在暗态下的阈值电压点,此时栅介质铁电层极化方向向下,铁电局域静电场将MoS2半导体沟道电子耗尽,有效抑制器件暗电流,提高器件信噪比。研究发现在光照下器件转移特性曲线阈值电压点发生左移,如图所示。该现象源于光照多层MoS2吸收光子激发电子-空穴对,其中大量空穴被栅极铁电局域静电场捕获,从而产生强的“photogating”效应。通过综合运用铁电负电容效应实现的极陡峭转移特性(极低亚阈值摆幅)、辅以铁电极化局域强场对半导体沟道背景载流子的抑制效应(极低暗电流),同时借助于铁电局域静电场的作用下捕获大量空穴,产生“photogating”效应(类似光照诱导转移曲线平移),获得了极高的信噪比(>107),从而实现具有高探测率光电探测器件。本研究中提出的负电容光电晶体管及其工作机理,是一种普适的高灵敏光电探测器构建方法,可广泛应用于半导体光电器件中,为研制超新型高灵敏光电探测器提供了新思路。 

  该成果以 “Ultrasensitive Negative Capacitance Phototransistors”为题在线发表于Nature Communications本工作中,王建禄研究员、刘琦研究员和胡伟达研究员为文章共同通讯作者,博士研究生涂路奇、曹荣荣为文章的共同第一作者。 

  该项工作得到了国家自然科学基金委、科技部及中科院的经费支持。 

  论文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-019-13769-z. 

 器件结构示意图

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