“InN-基全太阳光谱光伏材料的分子束外延生长和物性研究”获得市光科技计划资助

来源: 时间:2004-10-28

    近日,我所陈平平博士提出的“InN-基全太阳光谱光伏材料的分子束外延生长和物性研究”获得2004年上海市光科技计划资助。
    InN及InGaN(富In)半导体是当今半导体领域研究热点,由于该材料体系很难生长,一直来对于其基本的物理性质如缺少认识。最近的研究表明该InGaN材料体系能带从0.7 到3.4 eV 连续可调,为全太阳光谱光伏材料体系,理论研究表明由该材料制备的太阳能电池效率高于50%(高于目前所有的太阳能电池材料), 并且有很高的抗辐射能力, 适合在空间应用。该课题将利用MBE技术制备高质量的InN 及InGaN薄膜,揭示其基本物性,为制备高效率的太阳能电池提供基础。



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