韦欣，男，工学博士，中国科学院半导体研究所研究员。1998年吉林大学获硕士学位，2002年中科院半导体所获博士学位，后分别2004～2005年于日本德岛大学、2008年于美国德克萨斯州立大学奥斯汀分校进行访问研究。长期从事化合物半导体材料的外延生长及新型光电子器件开发研究，主要包括InP基和GaAs基半导体激光器和探测器的结构设计、外延生长及工艺制备研究。目前研究的主要方向为基于新型材料的半导体光电子器件以及新型纳米结构在光电子器件中的应用研究。曾参与和主持多项国家863项目和自然科学基金项目的研究工作。发表论文40余篇，申请发明专利6项，其中授权2项。